2N1899 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1899  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: MT38-1

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2N1899

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1899 даташит

 9.1. Size:663K  rca
 2n1893.pdf pdf_icon

2N1899

 9.2. Size:343K  general electric
 2n189 2n190 2n191 2n192.pdf pdf_icon

2N1899

 9.3. Size:384K  general electric
 2n186-a 2n187-a 2n188-a 2n189 2n190 2n191 2n192.pdf pdf_icon

2N1899

 9.4. Size:51K  philips
 2n1893 cnv 2.pdf pdf_icon

2N1899

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D111 2N1893 NPN medium power transistor 1997 Apr 17 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor 2N1893 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N1893L, 2N1893S, 2N1893UB, 2N1894, 2N1895, 2N1896, 2N1897, 2N1898, S9013, 2N19, 2N190, 2N1900, 2N1901, 2N1902, 2N1903, 2N1904, 2N1905