Биполярный транзистор 2N19 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N19
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.07 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 37
Корпус транзистора: TO30
2N19 Datasheet (PDF)
2n1991.pdf
2N1991Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 20V dia.IC = 0.3A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1
rt2n19m.pdf
RT2N19M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N19M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu
Другие транзисторы... 2N1893S , 2N1893UB , 2N1894 , 2N1895 , 2N1896 , 2N1897 , 2N1898 , 2N1899 , TIP2955 , 2N190 , 2N1900 , 2N1901 , 2N1902 , 2N1903 , 2N1904 , 2N1905 , 2N1906 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050