Биполярный транзистор 2SC2881O Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC2881O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SC2881O Datasheet (PDF)
2sc2881o 2sc2881y.pdf

2SC2881Voltage Amplifier ApplicationsVoltage Amplifier Applications Features High Voltage : VCEO = 120V High Transition Frequency : fT = 120MHz(typ.) Small Flat Package Complementary to 2SA1201 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 * Mounted on a ceramic substrate (250 mm2 x 0.8 t) Electrical Characteristics Ta = 25 REV.08 1 of 22SC2881hFE Classification
2sc2881.pdf

2SC2881 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2881 Voltage Amplifier Applications Unit: mmPower Amplifier Applications High voltage: VCEO = 120 V High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.) Small flat package PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) Complementary to 2SA1201 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Cha
2sc2881-o 2sc2881-y.pdf

2SC2881-O/2SC2881-YElectrical Characteristics @ 25C Unless Otherwise SpecifiedParameter Symbol Min Typ Max Units ConditionsV(BR)CBO IC=1mA, IE=0Collector-Base Breakdown Voltage 120 VV(BR)CEO IC=10mA, IB=0Collector-Emitter Breakdown Voltage 120 VV(BR)EBO IE=1mA, IC=0Emitter-Base Breakdown Voltage 5.0 VICBO VCB=120V, IE=0Collector-Base Cutoff Current 0.1 AIEBO VEB=5V, I
2sc2881-y.pdf

MCC2SC2881-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 2SC2881-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)NPN Silicon With SOT-89 package Power amplifier applications Power Transistors Epoxy meet
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: STC2073D | CDQ10047 | HA7533 | 5302D | GA4F3P | DTA144EUB | BDY27CX
History: STC2073D | CDQ10047 | HA7533 | 5302D | GA4F3P | DTA144EUB | BDY27CX



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50