Биполярный транзистор 2SC2930 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC2930
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SC2930 Datasheet (PDF)
2sc2937 2sc3224 2sc3262 2sc3261 2sc3259 2sc2507 2sc2506 2sc2829 2sc2827 2sc2826.pdf

2sc2938.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2938DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage: V = 800V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed and high powerapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNITV Colle
2sc2937.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2937 DESCRIPTION With TO-247 package Switching power transistor High breakdown voltage APPLICATIONS For switching regulator applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor