Биполярный транзистор 2SC2999E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2999E
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92A
2SC2999E Datasheet (PDF)
2sc2999.pdf
Ordering number:EN931DNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC2999HF Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions FBET series.unit:mm Very small-sized package permitting sets to be small-2033sized and slim.[2SC2999] High fT (fT=750MHz typ.) and small Cre(Cre=0.6pF typ).B : BaseC : CollectorE : EmitterSANYO : SPASpecificationsAbsolute Maximum R
2sc2999.pdf
2SC2999 TO-92S Transistor (NPN)1. EMITTER TO-92S 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Features High fT(fT=750MHZ typ) and small Cre (Cre=0.6pF typ) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 25 VVCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 3 V IC Collector Current -Continuous 30 mA PC Collector
2sc2996.pdf
2SC2996 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2996 FM/AM RF, MIX, Local, IF Unit: mm High Frequency Amplifier Applications High stability oscillation voltage on FM local oscillator Recommend FM/AM RF, MIX, local and IF Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 40 VCollector-emitter
2sc2995.pdf
2SC2995 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2995 FM/AM RF, MIX, OSC, IF Unit: mm High Frequency Amplifier Applications High stability oscillation voltage on FM local oscillator. Recommend FM/AM RF, MIX, OSC and IF. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 40 VCollector-emitter vo
2sc2996.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2996SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=50mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=30V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 40 Colle
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050