111T2 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 111T2 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO39
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 111T2
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
111T2 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: 104NU70, 104T2, 105NU70, 106NU70, 1074GE, 107NU70, 108T2, 109T2, BC548, 111T2-18, 121-1003, 121-1019, 121-1029, 121-1029-01, 121-1033, 121-1037, 121-1039
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: BSX51B | MMBT5141
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540
