Биполярный транзистор 111T2 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 111T2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO39
Другие транзисторы... 104NU70 , 104T2 , 105NU70 , 106NU70 , 1074GE , 107NU70 , 108T2 , 109T2 , A1941 , 111T2-18 , 121-1003 , 121-1019 , 121-1029 , 121-1029-01 , 121-1033 , 121-1037 , 121-1039 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050