Биполярный транзистор 111T2 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 111T2
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор биполярного транзистора по параметрам