Справочник транзисторов. 2SC3058

 

Биполярный транзистор 2SC3058 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3058
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3058 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  jmnic
2sc3058.pdfpdf_icon

2SC3058

Product Specification www.jmnic.comSilicon NPN Power Transistors 2SC3058 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS For switching regulator and DC/DC converter applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITI

 ..2. Size:165K  cn sptech
2sc3058.pdfpdf_icon

2SC3058

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3058DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(sus)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationAPPLICATIONSSwitching regulatorsMotor controlsUltrasonic generatorsClass C and D amplifiersDeflection circuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
2sc3058.pdfpdf_icon

2SC3058

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3058DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(sus)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsMotor controlsUltrasonic generatorsClass C and D amplifiersDeflection circu

 0.1. Size:210K  inchange semiconductor
2sc3058a.pdfpdf_icon

2SC3058

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3058ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 450V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V ) 1 V@ I = 4ACE(sat CHigh Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor switching regulator and DC/DC converter

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SC3770-4 | ST4044 | BC386 | STN3906 | AC404 | 2N363 | FXT553SM

 

 
Back to Top

 


 
.