2SC3093 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3093  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3093

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3093 даташит

 ..1. Size:60K  no
 2sc3093.pdf pdf_icon

2SC3093

 8.1. Size:318K  toshiba
 2sc3099.pdf pdf_icon

2SC3093

2SC3099 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3099 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.7dB, S 2 = 15dB (f = 500 MHz) 21e NF = 2.5dB, S 2 = 9.5dB (f = 1 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO

 8.2. Size:318K  toshiba
 2sc3098.pdf pdf_icon

2SC3093

2SC3098 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3098 UHF C Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 2.5dB, S 2 = 14.5dB (f = 500 MHz) 21e NF = 3.0dB, S 2 = 9.0dB (f = 1 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 30 V Collector-emitter voltage VCEO

 8.3. Size:86K  sanyo
 2sc3094.pdf pdf_icon

2SC3093

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3086, 2SC3087, 2SC3088, 2SC3089, 2SC309, 2SC3090, 2SC3091, 2SC3092, C5198, 2SC3094, 2SC3095, 2SC3096, 2SC3098, 2SC3099, 2SC31, 2SC310, 2SC3101