2N1962 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1962  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2N1962

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1962 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1958A, 2N1959, 2N1959A, 2N196, 2N1960, 2N1960-46, 2N1961, 2N1961-46, BC557, 2N1962-46, 2N1963, 2N1963-46, 2N1964, 2N1964-46, 2N1965, 2N1965-46, 2N1966