2N1981 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1981  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.03 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO36

 Аналоги (замена) для 2N1981

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1981 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1971, 2N1972, 2N1973, 2N1974, 2N1975, 2N1978, 2N198, 2N1980, BC546, 2N1982, 2N1983, 2N1984, 2N1985, 2N1986, 2N1987, 2N1988, 2N1989