Биполярный транзистор 2N1981 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1981
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.03 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO36
2N1981 Datasheet (PDF)
NO PDF!
Другие транзисторы... 2N1971 , 2N1972 , 2N1973 , 2N1974 , 2N1975 , 2N1978 , 2N198 , 2N1980 , TIP42 , 2N1982 , 2N1983 , 2N1984 , 2N1985 , 2N1986 , 2N1987 , 2N1988 , 2N1989 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
