2N1986 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1986  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1986

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1986 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1978, 2N198, 2N1980, 2N1981, 2N1982, 2N1983, 2N1984, 2N1985, TIP31, 2N1987, 2N1988, 2N1989, 2N199, 2N1990, 2N1990-46, 2N1990N, 2N1990R