2SC3423O - описание и поиск аналогов

 

2SC3423O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3423O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: ISO126

 Аналоги (замена) для 2SC3423O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3423O даташит

 7.1. Size:133K  toshiba
 2sc3423.pdf pdf_icon

2SC3423O

2SC3423 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC3423 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SA1360 Small collector output capacitance Cob = 1.8 pF (typ.) High transition frequency fT = 200 MHz (typ.) Maximum Ratings (Tc = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 150 V Collector-emitt

 7.2. Size:197K  jmnic
 2sc3423.pdf pdf_icon

2SC3423O

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3423 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1360 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.3. Size:133K  inchange semiconductor
 2sc3423-126.pdf pdf_icon

2SC3423O

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3423 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1360 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITION

 7.4. Size:196K  inchange semiconductor
 2sc3423.pdf pdf_icon

2SC3423O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3423 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SA1360 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3420Y, 2SC3421, 2SC3421O, 2SC3421Y, 2SC3422, 2SC3422O, 2SC3422Y, 2SC3423, 8050, 2SC3423Y, 2SC3424, 2SC3425, 2SC3426, 2SC3427, 2SC3428, 2SC3429, 2SC343

 

 

 

 

↑ Back to Top
.