2N1999 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N1999
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO5
2N1999 Datasheet (PDF)
2n1991.pdf
2N1991 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 20V dia. IC = 0.3A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1
Другие транзисторы... 2N1991S , 2N1992 , 2N1993 , 2N1994 , 2N1995 , 2N1996 , 2N1997 , 2N1998 , 2SC5198 , 2N200 , 2N2000 , 2N2001 , 2N2002 , 2N2003 , 2N2004 , 2N2005 , 2N2006 .
History: CHT5988ZGP | CHT2222AGP-A | KRA226S | 40578 | 2SC3093 | AC173VII
History: CHT5988ZGP | CHT2222AGP-A | KRA226S | 40578 | 2SC3093 | AC173VII
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141


