Справочник транзисторов. 2SC347

 

Биполярный транзистор 2SC347 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC347
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2SC347

 

 

2SC347 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:302K  toshiba
2sc3474.pdf

2SC347
2SC347

2SC3474 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC3474 Industrial Applications Switching Applications Unit: mm Solenoid Drive Applications High DC current gain: hFE = 500 (min) (I = 400 mA) C Low saturation voltage: V = 0.5 V (max) (I = 300 mA) CE (sat) CMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 80 VColl

 0.2. Size:163K  nec
2sc3478 2sc3478 2sc3478a.pdf

2SC347
2SC347

 0.3. Size:24K  hitachi
2sc3470.pdf

2SC347
2SC347

2SC3470Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency amplifierOutlineSPAK1. Emitter122. Collector33. Base2SC3470Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 55 VCollector to emitter voltage VCEO 50 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 100 mACollector power dissipation PC 300 mWJunction temper

 0.4. Size:201K  inchange semiconductor
2sc3475.pdf

2SC347
2SC347

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3475DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 0.6V(Max)@ I = 2ACE(sat) CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed switching applications.High speed DC-DC converter applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 0.5. Size:200K  inchange semiconductor
2sc3479.pdf

2SC347
2SC347

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3479DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high definition CRT display horizontaldeflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 159NT1B

 

 
Back to Top