2SC3565 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3565  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3565

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3565 даташит

 ..1. Size:191K  inchange semiconductor
 2sc3565.pdf pdf_icon

2SC3565

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3565 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 300V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high frequency high voltage amplifier and TV viedo output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 8.1. Size:172K  nec
 2sc3567.pdf pdf_icon

2SC3565

 8.2. Size:128K  nec
 2sc3569.pdf pdf_icon

2SC3565

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC3569 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC3569 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT mm) voltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power amplifiers. FEATURES Mold package that do

 8.3. Size:172K  nec
 2sc3568.pdf pdf_icon

2SC3565

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3558, 2SC3559, 2SC356, 2SC3560, 2SC3561, 2SC3562, 2SC3563, 2SC3564, BDT88, 2SC3566, 2SC3567, 2SC3568, 2SC3569, 2SC3570, 2SC3571, 2SC3572, 2SC3573