2SC3569. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC3569
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SC3569
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC3569 даташит
2sc3569.pdf
DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC3569 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC3569 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT mm) voltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power amplifiers. FEATURES Mold package that do
2sc3569.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3569 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High switching speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Especially suited for high voltage,high speed and high power switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO
Другие транзисторы: 2SC3561, 2SC3562, 2SC3563, 2SC3564, 2SC3565, 2SC3566, 2SC3567, 2SC3568, TIP41C, 2SC3570, 2SC3571, 2SC3572, 2SC3573, 2SC3574, 2SC3575, 2SC3576, 2SC3577
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004