2SC3573. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC3573
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SC3573
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC3573 даташит
2sc3576.pdf
Ordering number EN1799D NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC3576 High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions LF general-purpose amplifiers, various drivers, unit mm muting circuit. 2033 [2SC3576] Features Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation vo
2sc3570.pdf
DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC3570 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC3570 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT mm) voltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power amplifiers. FEATURES Mold package that do
Другие транзисторы: 2SC3565, 2SC3566, 2SC3567, 2SC3568, 2SC3569, 2SC3570, 2SC3571, 2SC3572, 2N5551, 2SC3574, 2SC3575, 2SC3576, 2SC3577, 2SC3578, 2SC3579, 2SC3580, 2SC3581
History: ECG99
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor





