Справочник транзисторов. 2SC3611

 

Биполярный транзистор 2SC3611 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC3611
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SC3611

 

 

2SC3611 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  panasonic
2sc3611.pdf

2SC3611
2SC3611

Power Transistors2SC3611Silicon NPN epitaxial planar typeUnit: mmFor video amplifier8.0+0.50.13.20.2 3.160.1 Features High transition frequency fT Small collector output capacitance Cob Wide current range TO-126B package which requires no insulation plate for installa-tion to the heat sink Absolute Maximum Ratings TC = 25C0.750.10.50.

 8.1. Size:213K  toshiba
2sc3619.pdf

2SC3611
2SC3611

 8.2. Size:241K  toshiba
2sc3613.pdf

2SC3611
2SC3611

 8.3. Size:168K  nec
2sc3616.pdf

2SC3611
2SC3611

 8.4. Size:164K  nec
2sc3615.pdf

2SC3611
2SC3611

 8.5. Size:228K  nec
2sc3618.pdf

2SC3611
2SC3611

 8.6. Size:225K  nec
2sc3617.pdf

2SC3611
2SC3611

 8.7. Size:1258K  kexin
2sc3618.pdf

2SC3611
2SC3611

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC3618SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=0.7A Collector Emitter Voltage VCEO=25V0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 25 Collector - Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter - Base Voltage VE

 8.8. Size:1269K  kexin
2sc3617.pdf

2SC3611
2SC3611

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC3617SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=0.3A Collector Emitter Voltage VCEO=50V0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 50 Collector - Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter - Base Voltage VE

 8.9. Size:191K  inchange semiconductor
2sc3619.pdf

2SC3611
2SC3611

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3619DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage switching and amplifier applications.Color TV horizontal driver applications.Color TV chroma output applications.ABSOL

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top