2SC3626. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3626

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SC3626

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3626 даташит

 ..1. Size:195K  inchange semiconductor
2sc3626.pdfpdf_icon

2SC3626

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3626 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulator and high voltage switching applications High speed DC-DC converter applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

 8.1. Size:206K  toshiba
2sc3621.pdfpdf_icon

2SC3626

 8.2. Size:212K  toshiba
2sc3620.pdfpdf_icon

2SC3626

 8.3. Size:128K  nec
2sc3623 2sc3623a.pdfpdf_icon

2SC3626

DATA SHEET SILICON TRANSISTORS 2SC3623, 3623A NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) High hFE hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO VEBO 12 V (2SC3623) VEBO 15 V (2SC3623A) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C

Другие транзисторы: 2SC3621, 2SC3622, 2SC3622A, 2SC3623, 2SC3623A, 2SC3624, 2SC3624A, 2SC3625, MJE350, 2SC3627, 2SC3628, 2SC3629, 2SC363, 2SC3630, 2SC3631, 2SC3632, 2SC3633