2SC3629 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2SC3629. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3629

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 520 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: XM5

Аналоги (замена) для 2SC3629

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC3629 даташит

8.1. Size:206K toshiba
2sc3621.pdf pdf_icon

8.2. Size:212K toshiba
2sc3620.pdf pdf_icon

8.3. Size:128K nec
2sc3623 2sc3623a.pdf pdf_icon

DATA SHEET SILICON TRANSISTORS 2SC3623, 3623A NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) High hFE hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO VEBO 12 V (2SC3623) VEBO 15 V (2SC3623A) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C

8.4. Size:101K nec
2sc3622 2sc3622a.pdf pdf_icon