Справочник транзисторов. 2SC3629

 

Биполярный транзистор 2SC3629 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3629
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 520 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: XM5
 

 Аналог (замена) для 2SC3629

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3629 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:206K  toshiba
2sc3621.pdfpdf_icon

2SC3629

 8.2. Size:212K  toshiba
2sc3620.pdfpdf_icon

2SC3629

 8.3. Size:128K  nec
2sc3623 2sc3623a.pdfpdf_icon

2SC3629

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3623, 3623ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3623)VEBO: 15 V (2SC3623A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C

 8.4. Size:101K  nec
2sc3622 2sc3622a.pdfpdf_icon

2SC3629

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3622, 3622ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOWFREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3622)VEBO: 15 V (2SC3622A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

Другие транзисторы... 2SC3623 , 2SC3623A , 2SC3624 , 2SC3624A , 2SC3625 , 2SC3626 , 2SC3627 , 2SC3628 , MPSA42 , 2SC363 , 2SC3630 , 2SC3631 , 2SC3632 , 2SC3633 , 2SC3634 , 2SC3635 , 2SC3636 .

History: KT8141V | 2SC1675L | 2SA272 | SD1448

 

 
Back to Top

 


 
.