2SC3822 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3822  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC67

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3822

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3822 даташит

 ..1. Size:167K  1
2sc3822.pdfpdf_icon

2SC3822

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
2sc3822.pdfpdf_icon

2SC3822

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3822 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V (Min) (BR)CEO High Speed Switching High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators DC-DC converters Solid state relay General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.1. Size:119K  1
2sc3821.pdfpdf_icon

2SC3822

 8.2. Size:86K  sanyo
2sc3820.pdfpdf_icon

2SC3822

Ordering number EN2544B NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor 2SC3820 High hFE, AF Amplifier Applications Applications Package Dimensions Drivers, muting circuits. unit mm 2033 Features [2SC3820] Adoption of FBET and MBIT processes. High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat) 0.5V). High VEBO (VEBO 15

Другие транзисторы: 2SC3815, 2SC3816, 2SC3817, 2SC3818, 2SC3819, 2SC382, 2SC3820, 2SC3821, 2SC945, 2SC3823, 2SC3824, 2SC3825, 2SC3826, 2SC3827, 2SC3828, 2SC3829, 2SC382G