2SC412 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC412  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC412

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC412 даташит

 0.1. Size:89K  sanyo
 2sa1590 2sc4121.pdf pdf_icon

2SC412

 0.2. Size:88K  sanyo
 2sc4125.pdf pdf_icon

2SC412

 0.3. Size:93K  sanyo
 2sc4123.pdf pdf_icon

2SC412

Ordering number EN2956 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4123 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High breakdown voltage (VCBO=1500V). 2039D High reliability (Adoption of HVP process). [2SC4123] Adoption of MBIT process. 16.0 5.6 3.4 On-chip da

 0.4. Size:98K  sanyo
 2sc4124.pdf pdf_icon

2SC412

Ordering number EN2962 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4124 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions Adoption of MBIT process. unit mm On-chip damper diode. 2039D High breakdown voltage (VCBO=1500V). [2SC4124] High speed (tf=100ns typ). 16.0 5.6 3.4 High reliability (Adoption of HV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4112, 2SC4113, 2SC4114, 2SC4115, 2SC4116, 2SC4117, 2SC4118, 2SC4119, BC547, 2SC4120, 2SC4121, 2SC4122, 2SC4123, 2SC4124, 2SC4125, 2SC4126, 2SC4127