2SC4212 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4212  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC4212

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4212 даташит

 ..1. Size:60K  panasonic
2sc4212.pdfpdf_icon

2SC4212

Power Transistors 2SC4212 2SC4212 2SC4212 2SC4212 2SC4212 Silicon NPN triple diffusion planar type Unit mm For color TV horizontal deflection driver 8.0+0.5 0.1 3.2 0.2 3.16 0.1 Features High collector to emitter voltage VCEO TO-126B package which requires no insulation plate for installa- tion to the heat sink Absolute Maximum Ratings TC = 25 C Parameter S

 8.1. Size:290K  toshiba
2sc4215.pdfpdf_icon

2SC4212

2SC4215 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4215 High Frequency Amplifier Applications Unit mm FM, RF, MIX, IF Amplifier Applications Small reverse transfer capacitance Cre = 0.55 pF (typ.) Low noise figure NF = 2dB (typ.) (f = 100 MHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 40 V Co

 8.2. Size:274K  toshiba
2sc4213-a 2sc4213-b.pdfpdf_icon

2SC4212

2SC4213 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4213 For Muting and Switching Applications Unit mm High emitter-base voltage VEBO = 25 V (min) High reverse hFE Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = -2 V, IC = -4 mA) Low on resistance RON = 1 (typ.) (IB = 5 mA) High DC current gain hFE = 200 to 1200 Small package Absolute Maximum

 8.3. Size:289K  toshiba
2sc4213.pdfpdf_icon

2SC4212

2SC4213 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4213 For Muting and Switching Applications Unit mm High emitter-base voltage VEBO = 25 V (min) High reverse h Reverse h = 150 (typ.) (V = -2 V, I = -4 mA) FE FE CE C Low on resistance R = 1 (typ.) (I = 5 mA) ON B High DC current gain hFE = 200 1200 Small package Maximum Ra

Другие транзисторы: 2SC4204, 2SC4205, 2SC4206, 2SC4207, 2SC4208, 2SC4209, 2SC4210, 2SC4211, 2SA1837, 2SC4213, 2SC4214, 2SC4215, 2SC4216, 2SC4217, 2SC4218, 2SC4219, 2SC4220