2SC4290A datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC4290A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4290A 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO264

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC4290A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC4290A даташит

8.1. Size:195K 1
2sc4295m.pdf pdf_icon

8.2. Size:53K sanyo
2sc4292.pdf pdf_icon

8.3. Size:92K sanyo
2sc4293.pdf pdf_icon

Ordering number EN2963 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4293 Ultrahigh-Definition Color Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=300ns max). unit mm High breakdown voltage (VCBO=1500V). 2039D High reliability (adoption of HVP process). [2SC4293] Adoption of MBIT process. 16.0 5.6 3.4 On-chip

8.4. Size:39K sanyo
2sc4291.pdf pdf_icon

Ordering number EN2679A NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4291 Ultrahigh-Definition Color Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=0.3 s max). unit mm High breakdown voltage (VCBO=1500V). 2022A High reliability (adoption of HVP process). [2SC4291] Adoption of MBIT process. 15.6 3.2 4.8 14.0 2.0