2SC4399-5. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC4399-5
Маркировка: F5
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135
Корпус транзистора: TO323
Аналоги (замена) для 2SC4399-5
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC4399-5 даташит
2sc4399.pdf
Ordering number EN3020 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4399 High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features Package Dimensions High power gain PG=25dB typ (f=100MHz). unit mm Very small-sized package permitting the 2SC4399- 2059B applied sets to be made small and slim. [2SC4399] 0.3 0.15 3 0 0.1 1 2 0.3 0.6 0.65 0.65 0.9 2.0 1 Base 2
2sc4394.pdf
2SC4394 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4394 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure, high cain. NF = 1.1dB, S 2 = 11dB (f = 1 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 12 V Emitter-base voltage VEBO 3 V C
2sc4393.pdf
2SC4393 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4393 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure. NF = 1.5dB, S 2 = 16dB (f = 500 MHz) 21e NF = 1.7dB, S 2 = 10.5dB (f = 1000 MHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 17 V Collector-emitter voltage
2sc4390.pdf
Ordering number EN2958A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4390 High-hFE, AF Amplifier Applications Features Package Dimensions Adoption of MBIT process. unit mm High DC current gain (hFE=800 to 3200). 2038A Large current capacity (IC=2A). [2SC4390] Low collector-to-emitter saturation voltage 4.5 (VCE(sat) 0.3V). 1.5 1.6 High VEBO (VEBO 15V). 0.
Другие транзисторы: 2SC4393, 2SC4394, 2SC4396, 2SC4397, 2SC4398, 2SC4399, 2SC4399-3, 2SC4399-4, BC546, 2SC44, 2SC440, 2SC4400, 2SC4400-3, 2SC4400-4, 2SC4400-5, 2SC4401, 2SC4402
History: MMCM2906
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet






