Справочник транзисторов. 2SC4467

 

Биполярный транзистор 2SC4467 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC4467
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4467 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  utc
2sc4467.pdfpdf_icon

2SC4467

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC4467 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC4467 is a silicon NPN triple diffused planar transistor, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with high DC current gain and high collector-base breakdown voltage, etc. The UTC 2SC4467 is suitable for audio an

 ..2. Size:192K  jmnic
2sc4467.pdfpdf_icon

2SC4467

JMnic Product SpecificationSilicon NPN Power Transistors 2SC4467 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SA1694 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITV

 ..3. Size:24K  sanken-ele
2sc4467.pdfpdf_icon

2SC4467

2SC4467Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1694)Application : Audio and General PurposeExternal Dimensions MT-100(TO3P) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)Symbol 2SC4467 Unit Symbol Conditions 2SC4467 Unit0.24.80.415.60.1VCBO 160 V ICBO VCB=160V 10max A 9.6 2.0IEBOVCEO 120 V VEB=6V 10max

 ..4. Size:194K  inchange semiconductor
2sc4467.pdfpdf_icon

2SC4467

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4467DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1694100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MA

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BUX50C | KMBT3904DW | 2SB736AR | KT315G | 2N3927 | BCW31LT3 | PTB20146

 

 
Back to Top

 


 
.