Биполярный транзистор 2SC4475 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4475
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.003 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220AB
2SC4475 Datasheet (PDF)
2sc4475.pdf
Ordering number:EN3338NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC44751800V/3mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching ApplicationsApplications Package Dimensions High voltage amplifier.unit:mm High voltage switching.2010C Dynamic focus.[2SC4475]10.24.53.65.11.3Features High breakdown voltage (VCEO min=1800V). Small Cob (Cob typ=1.
2sa1697 2sc4474.pdf
Ordering number:EN3018PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1697/2SC4474High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2041[2SA1697/2SC4474]Features High fT : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=200V min. Small reverse transfer capacitan
2sa1696 2sc4473.pdf
Ordering number:EN3017PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1696/2SC4473High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2041[2SA1696/2SC4473]Features High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120V min. Small reverse transfer capacitan
2sc4476.pdf
Ordering number:EN3339NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC44761800V/10mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching ApplicationsApplications Package Dimensions High voltage amplifier.unit:mm High voltage switching.2010C Dynamic focus.[2SC4476]10.24.53.65.11.3Features High breakdown voltage (VCEO min=1800V). Small Cob (Cob typ=1
2sc4478.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4478DESCRIPTIONFast switching speedNPN epitaxial planar silicon transistor100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh deflection CRT displayHorizontal deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SC4410
History: 2SC4410
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050