Биполярный транзистор 2SC4478
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4478
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора:
TO220
Аналоги (замена) для 2SC4478
2SC4478
Datasheet (PDF)
..2. Size:182K inchange semiconductor
2sc4478.pdf INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4478DESCRIPTIONFast switching speedNPN epitaxial planar silicon transistor100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh deflection CRT displayHorizontal deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR
8.2. Size:109K sanyo
2sa1697 2sc4474.pdf Ordering number:EN3018PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1697/2SC4474High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2041[2SA1697/2SC4474]Features High fT : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=200V min. Small reverse transfer capacitan
8.3. Size:122K sanyo
2sa1696 2sc4473.pdf Ordering number:EN3017PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1696/2SC4473High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2041[2SA1696/2SC4473]Features High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120V min. Small reverse transfer capacitan
8.4. Size:88K sanyo
2sc4475.pdf Ordering number:EN3338NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC44751800V/3mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching ApplicationsApplications Package Dimensions High voltage amplifier.unit:mm High voltage switching.2010C Dynamic focus.[2SC4475]10.24.53.65.11.3Features High breakdown voltage (VCEO min=1800V). Small Cob (Cob typ=1.
8.5. Size:93K sanyo
2sc4476.pdf Ordering number:EN3339NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC44761800V/10mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching ApplicationsApplications Package Dimensions High voltage amplifier.unit:mm High voltage switching.2010C Dynamic focus.[2SC4476]10.24.53.65.11.3Features High breakdown voltage (VCEO min=1800V). Small Cob (Cob typ=1
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.