2SC4686A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4686A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: X34

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC4686A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4686A даташит

 ..1. Size:207K  toshiba
2sc4686a.pdfpdf_icon

2SC4686A

 ..2. Size:135K  toshiba
2sc4686 2sc4686a.pdfpdf_icon

2SC4686A

2SC4686,2SC4686A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Planar Type 2SC4686, 2SC4686A TV Dynamic Focus Applications Unit mm High-Voltage Switching Applications High-Voltage Amplifier Applications High voltage VCEO = 1200 V (max) Small collector output capacitance Cob = 2.2 pF (typ.) (VCB = 100 V) Maximum Ratings (Tc = 25 C) Characteristics Symbol Rating U

 7.1. Size:223K  toshiba
2sc4686.pdfpdf_icon

2SC4686A

 8.1. Size:176K  toshiba
2sc4689.pdfpdf_icon

2SC4686A

Другие транзисторы: 2SC4681, 2SC4681A, 2SC4681B, 2SC4682, 2SC4683, 2SC4684, 2SC4685, 2SC4686, 2SC828, 2SC4687, 2SC4688, 2SC4688O, 2SC4688R, 2SC4689, 2SC4689O, 2SC4689R, 2SC468A