Справочник транзисторов. 2SC4688R

 

Биполярный транзистор 2SC4688R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC4688R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 105 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: ISO247

 Аналоги (замена) для 2SC4688R

 

 

2SC4688R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:177K  toshiba
2sc4688.pdf

2SC4688R 2SC4688R

 7.2. Size:123K  jmnic
2sc4688.pdf

2SC4688R 2SC4688R

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4688 DESCRIPTION With TO-3PFM package Complement to type 2SA1803 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 40W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol Maximum absolu

 7.3. Size:195K  inchange semiconductor
2sc4688.pdf

2SC4688R 2SC4688R

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4688DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CComplement to Type 2SA1803100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier ap

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top