Биполярный транзистор 2SC471 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC471
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO5
2SC471 Datasheet (PDF)
2sc4710.pdf
Ordering number:EN3688ANPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC47102100V/10mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCEO min=2100V).unit:mm Small Cob (typical Cob=1.3pF).2079B Wide ASO.[2SC4710] High reliability (Adoption of HVP process).4.510.02.8 Full isolation packag
2sc4710ls.pdf
Ordering number : ENN3688B2SC4710LSNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC4710LS2100V / 10mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High breakdown voltage(VCEO min=2100V).unit : mm Small Cob(typical Cob=1.3pF).2079D Wide ASO.[2SC4710LS] High reliability(Adoption of HVP process).10.0 4.53.22.8
2sc4774 2sc4713k.pdf
2SC4774 / 2SC4713K Transistors High frequency amplifier transistor, RF switching (6V, 50mA) 2SC4774 / 2SC4713K Features 2SC47741) Very low output-on resistance (Ron). 2) Low capacitance. 1.252.1 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage VCBO 12 VCollector-emitter voltage VCEO 6 V0.1Min.Emitter-base voltage VEBO 3 VE
2sc4715 e.pdf
Transistor2SC4715Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency high breakdown voltage amplificationUnit: mm4.0 0.2FeaturesSatisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.High collector to emitter voltage VCEO.Small collector output capacitance Cob.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage
2sc4715.pdf
Transistor2SC4715Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency high breakdown voltage amplificationUnit: mm4.0 0.2FeaturesSatisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.High collector to emitter voltage VCEO.Small collector output capacitance Cob.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage
2sc4714.pdf
2SC4714 NPN Unit: mm10.5 0.54.5 0.29.5 0.21.4 0.18.0 0.2 VCEO Cob 3.7 0.1 (TC=25C)1.4 0.12.5 0.2 0.8
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050