Биполярный транзистор 2SC4878 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4878
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO3PFM
2SC4878 Datasheet (PDF)
2sc4878.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4878DESCRIPTIONHigh Breakdown VoltageHigh Switching SpeedBuilt in damper diode100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSVery high-definition CRT display horizontal deflectionoutput applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
2sc4871.pdf
Ordering number:EN4857NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4871UHF to S Band Low-Noise Amplifier,OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions High cutoff frequency : fT=10GHz typ.unit:mm2 High gain : S21e =13dB typ (f=1GHz).2059B Low noise : NF=1.3dB typ (f=1GHz).[2SC4871] Small Cob : Cob=0.4pF typ.0.30.1530 to 0.11 20.3 0.60.65 0.6
2sc4877.pdf
2SC4877Silicon NPN Triple DiffusedApplicationTO3PFMTV / character display horizontal deflection outputFeatures High breakdown voltage1. BaseVCES = 1500 V 2. Collector3. Emitter Builtin damper diode type Isolated packageTO-3PFM123213Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating Unit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: DCX122TH
History: DCX122TH
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050