2SC5029O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5029O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5029O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5029O даташит

 7.1. Size:212K  toshiba
2sc5029.pdfpdf_icon

2SC5029O

 8.2. Size:218K  toshiba
2sc5028.pdfpdf_icon

2SC5029O

 8.3. Size:241K  toshiba
2sc5027.pdfpdf_icon

2SC5029O

Другие транзисторы: 2SC5027O, 2SC5027R, 2SC5028, 2SC5028N, 2SC5028O, 2SC5028R, 2SC5029, 2SC5029N, 2N2907, 2SC5029R, 2SC503, 2SC5030, 2SC5030N, 2SC5030O, 2SC5030R, 2SC5031, 2SC5031N