2SC503 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC503  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC503

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC503 даташит

 0.1. Size:211K  toshiba
2sc5030.pdfpdf_icon

2SC503

 0.2. Size:60K  panasonic
2sc5036.pdfpdf_icon

2SC503

Power Transistors 2SC5036, 2SC5036A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 Features 9.9 0.3 2.9 0.2 High-speed switching 3.2 0.1 High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Full-pack package with outstanding insulation,

 0.3. Size:59K  panasonic
2sc5034.pdfpdf_icon

2SC503

Power Transistors 2SC5034 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 Features 3.2 0.1 High collector to emitter VCEO High-speed switching Full-pack package with outstanding insulation, which can be in- stalled to the heat sink with one screw 2.6 0.1 1.2 0.15 1.45 0.15 0.7 0.1 Absol

Другие транзисторы: 2SC5028, 2SC5028N, 2SC5028O, 2SC5028R, 2SC5029, 2SC5029N, 2SC5029O, 2SC5029R, 2SC828, 2SC5030, 2SC5030N, 2SC5030O, 2SC5030R, 2SC5031, 2SC5031N, 2SC5031O, 2SC5031R