2SC5130 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2SC5130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5130

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220F FM20

Аналоги (замена) для 2SC5130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC5130 даташит

..1. Size:24K sanken-ele
2sc5130.pdf pdf_icon

2SC5130 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor) Application Switching Regulator and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) External Dimensions FM20(TO220F) Symbol 2SC5130 Unit Symbol Conditions 2SC5130 Unit 0.2 4.2 0.2 10.1 c0.5 VCBO 600 V ICBO VCB=500V 100max A 2.8

..2. Size:172K inchange semiconductor
2sc5130.pdf pdf_icon