Биполярный транзистор 2SC526M
Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC526M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 165
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.055
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора:
TO5
Аналог (замена) для 2SC526M
-
подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC526M
Datasheet (PDF)
8.8. Size:463K sanyo
2sc5264.pdf 
Ordering number:ENN5287NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5264Inverter Lighting ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO=1000V).unit:mm High reliability (Adoption of HVP process).2079C Adoption of MBIT process.[2SC5264]4.510.02.83.20.91.20.70.751 : Base1 2 32 : Collector3 : Emitter2.55 2.55SANYO :
8.9. Size:42K sanyo
2sc5264ls.pdf 
Ordering number:ENN5287ANPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5264LSInverter Lighting ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO=1000V).unit:mm High reliability (Adoption of HVP process).2079D Adoption of MBIT process.[2SC5264]10.0 4.53.22.80.91.2 1.20.75 0.71 : Base1 2 32 : Collector3 : Emitter2.55 2.55Spe
8.10. Size:112K sanyo
2sc5265.pdf 
Ordering number:EN5321NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5265Inverter-controlled Lighting ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO=1200V).unit:mm High reliability (Adoption of HVP process).2079B Adoption of MBIT process.[2SC5265]4.510.02.83.20.90.71.20.751 : Base1 2 32 : Collector3 : Emitter2.55 2.55
8.11. Size:31K sanyo
2sc5265ls.pdf 
Ordering number : ENN5321A2SC5265LSNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5265LSInverter-Controlled Lighting ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High breakdown voltage(VCBO=1200V).unit : mm High reliability(Adoption of HVP process).2079D Adoption of MBIT process.[2SC5265LS]10.0 4.53.22.80.91.2 1.20.75 0.71 2 31 : Base2 : Collector
8.12. Size:209K inchange semiconductor
2sc5265.pdf 
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5265DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-(Vcb=1200V) High ReliabilityAdoption of MBIT processMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSInverter-controlledLightingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1200 VCBOV Collector-E
Другие транзисторы... 2SC524O
, 2SC524R
, 2SC525
, 2SC5250
, 2SC5251
, 2SC525O
, 2SC525R
, 2SC526
, TIP36C
, 2SC527
, 2SC5271
, 2SC5273
, 2SC528
, 2SC5287
, 2SC529
, 2SC529A
, 2SC53
.
History: 2SC732V
