2SC531. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC531

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC531

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC531 даташит

 0.1. Size:121K  toshiba
2sc5317.pdfpdf_icon

2SC531

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm (chip fT = 16 GHz series) Low noise figure NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emi

 0.2. Size:126K  toshiba
2sc5318.pdfpdf_icon

2SC531

 0.3. Size:125K  toshiba
2sc5316.pdfpdf_icon

2SC531

 0.4. Size:169K  toshiba
2sc5319.pdfpdf_icon

2SC531

2SC5319 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5319 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain Ga = 11.5dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emitter-base voltage VEBO 1.5

Другие транзисторы: 2SC5273, 2SC528, 2SC5287, 2SC529, 2SC529A, 2SC53, 2SC530, 2SC530A, TIP41C, 2SC531A, 2SC532, 2SC533, 2SC5333, 2SC534, 2SC535, 2SC535P, 2SC536