2SC573 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC573 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO31
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC573
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC573 даташит
2sc5738.pdf
2SC5738 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5738 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 90 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = =
2sc5737.pdf
DATA SHEET NPN SILICON RF TRANSISTOR 2SC5737 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD FEATURES Low voltage operation, low phase distortion Ideal for VCO applications Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package ORDERING INFORMATION Part Number Quantity Supplying Form 2SC5737 50 pcs (Non reel) 8 mm
2sc5736.pdf
DATA SHEET NPN SILICON RF TRANSISTOR 2SC5736 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD FEATURES Low voltage operation, low phase distortion Ideal for OSC applications Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package ORDERING INFORMATION Part Number Quantity Supplying Form 2SC5736 50 pcs (Non reel) 8 mm
2sc5730k.pdf
2SC5730K Transistors Medium power transistor (30V, 1A) 2SC5730K External dimensions (Unit mm) Features 1) High speed switching. SMT3 (Tf Typ. 50ns at IC = 1.0A) (SC-59) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. 150mV at IC = 500mA, IB = 50mA) 1.6 3) Strong discharge power for inductive load and 2.8 capacitance load. (1) Emitter 4) Complements th
Другие транзисторы: 2SC567, 2SC568, 2SC568M, 2SC569, 2SC57, 2SC570, 2SC571, 2SC572, 2222A, 2SC574, 2SC575, 2SC576, 2SC577, 2SC578, 2SC579, 2SC58, 2SC580
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: RN2318 | 2SB242 | 2SD5702 | BFW22 | SM2159 | RN2301 | RN1961FE
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40






