2SC576. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC576

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 375 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SC576

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC576 даташит

 0.1. Size:158K  toshiba
 2sc5765.pdf pdf_icon

2SC576

2SC5765 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5765 MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS Unit mm STOROBO FLASH APPLICATIONS Low Saturation Voltage VCE (sat) (1) = 0.27 V (max.) (I = 3 A/I = 60 mA) C B Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base voltage VCBO 15 V Collector-Emitter voltage VCEO 10 V Emitter-Ba

 0.2. Size:31K  sanyo
 2sc5764.pdf pdf_icon

2SC576

Ordering number ENN6971A 2SC5764 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5764 Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage. unit mm High reliability. 2041A High-speed switching. [2SC5764] Wide ASO. 4.5 10.0 2.8 Adoption of MBIT process. 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Base 2.55 2.55 2 Collector

 0.3. Size:30K  sanyo
 2sc5763.pdf pdf_icon

2SC576

Ordering number ENN6989A 2SC5763 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5763 Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage. unit mm High reliability. 2010C High-speed switching. [2SC5763] Wide ASO. 10.2 4.5 Adoption of MBIT process. 3.6 5.1 1.3 1.2 0.8 0.4 1 Base 2 Collector 1 2 3 3 Emitter SANY

 0.4. Size:75K  nec
 2sc5761.pdf pdf_icon

2SC576

DATA SHEET NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 2SC5761 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) FEATURES Ideal for low noise high-gain amplification NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz Maximum stable power gain MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz SiGe technology (fT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC569, 2SC57, 2SC570, 2SC571, 2SC572, 2SC573, 2SC574, 2SC575, D965, 2SC577, 2SC578, 2SC579, 2SC58, 2SC580, 2SC581, 2SC582, 2SC582A