Биполярный транзистор 2SC587M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC587M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TO18
2SC587M Datasheet (PDF)
2sc5876u3.pdf
2SC5876U3DatasheetMedium power transistor (60V, 0.5A)lOutlinel SOT-323 Parameter Value SC-70 VCEO60VIC500mAUMT3lFeatures lInner circuitl l1)High speed switching. (Tf:Typ.:80ns at IC=500mA)2)Low saturation voltage, typically (Typ.:150mV at IC=100mA, IB=10mA)3)Strong discharge power for inductive load and ca
2sc5876.pdf
2SC5876DatasheetMedium power transistor (60V, 0.5A)lOutlinelParameter Value UMT3VCEO60VIC500mASOT-323SC-70 lFeaturesl1)High speed switching.lInner circuitl (Tf:Typ.:80ns at IC=500mA)2)Low saturation voltage, typically (Typ.:150mV at IC=100mA, IB=10mA)3)Strong discharge power for
2sc5875.pdf
2SC5875 Transistors Power transistor (30V, 2A) 2SC5875 External dimensions (Unit : mm) Features 1) High speed switching. ATV2.56.8(Tf : Typ. : 20ns at IC = 2A) 2) Low saturation voltage, typically :(Typ. 200mV at IC = 1.0A, IB = 0.1A) 0.65Max.3) Strong discharge power for inductive load and 0.5(1) (2) (3)capacitance load. 2.54 2.541.05 0.45(1) Emitter
2sc5877s.pdf
2SC5877S Transistors Power transistor (60V, 0.5A) 2SC5877S External dimensions (Unit : mm) Features 1) High speed switching. 4.0 2.0SPT(Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA) 2) Low saturation voltage, typically : 0.45(Typ. 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) Strong discharge power for inductive load and 2.50.5 0.45capacitance load. 5.0(1) Emitter4) Complements t
2sc5874s.pdf
2SC5874S Transistors Medium power transistor (30V, 1.0A) 2SC5874S External dimensions (Unit : mm) Features 1) High speed switching. 4.0 2.0SPT(Tf : Typ. : 35ns at IC = 1.0A) 2) Low saturation voltage, typically : 0.45(Typ. 150mV at IC = 1.0A, IB = 100mA) 3) Strong discharge power for inductive load and 2.50.5 0.45capacitance load. 5.0(1) Emitter4) Complem
2sc5876fra.pdf
AEC-Q101 QualifiedMedium power transistor (60V, 0.5A) 2SC5876FRAFeatures Dimensions (Unit : mm)1) High speed switching. (Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA) UMT32) Low saturation voltage, typically (Typ. : 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 1.253) Strong discharge power for inductive load and 2.1capacitance load. 2SA2088FRA4) Complements the 2SA2088 0.1Min.Each lea
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050