2SC587M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC587M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SC587M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC587M даташит

 8.1. Size:1603K  rohm
 2sc5876u3.pdf pdf_icon

2SC587M

2SC5876U3 Datasheet Medium power transistor (60V, 0.5A) lOutline l SOT-323 Parameter Value SC-70 VCEO 60V IC 500mA UMT3 lFeatures lInner circuit l l 1)High speed switching. (Tf Typ. 80ns at IC=500mA) 2)Low saturation voltage, typically (Typ. 150mV at IC=100mA, IB=10mA) 3)Strong discharge power for inductive load and ca

 8.2. Size:1647K  rohm
 2sc5876.pdf pdf_icon

2SC587M

2SC5876 Datasheet Medium power transistor (60V, 0.5A) lOutline l Parameter Value UMT3 VCEO 60V IC 500mA SOT-323 SC-70 lFeatures l 1)High speed switching. lInner circuit l (Tf Typ. 80ns at IC=500mA) 2)Low saturation voltage, typically (Typ. 150mV at IC=100mA, IB=10mA) 3)Strong discharge power for

 8.3. Size:98K  rohm
 2sc5875.pdf pdf_icon

2SC587M

2SC5875 Transistors Power transistor (30V, 2A) 2SC5875 External dimensions (Unit mm) Features 1) High speed switching. ATV 2.5 6.8 (Tf Typ. 20ns at IC = 2A) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. 200mV at IC = 1.0A, IB = 0.1A) 0.65Max. 3) Strong discharge power for inductive load and 0.5 (1) (2) (3) capacitance load. 2.54 2.54 1.05 0.45 (1) Emitter

 8.4. Size:98K  rohm
 2sc5877s.pdf pdf_icon

2SC587M

2SC5877S Transistors Power transistor (60V, 0.5A) 2SC5877S External dimensions (Unit mm) Features 1) High speed switching. 4.0 2.0 SPT (Tf Typ. 80ns at IC = 500mA) 2) Low saturation voltage, typically 0.45 (Typ. 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) Strong discharge power for inductive load and 2.5 0.5 0.45 capacitance load. 5.0 (1) Emitter 4) Complements t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC582A, 2SC583, 2SC583Z, 2SC584, 2SC585, 2SC586, 2SC587, 2SC587A, S9018, 2SC588, 2SC589, 2SC589N, 2SC58A, 2SC59, 2SC590, 2SC590N, 2SC591