2N217 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N217  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 50 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N217

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N217 даташит

 ..1. Size:604K  rca
 2n217.pdf pdf_icon

2N217

Другие транзисторы: 2N2162, 2N2163, 2N2164, 2N2165, 2N2166, 2N2167, 2N2168, 2N2169, 2SA1015, 2N2170, 2N2171, 2N2172, 2N2173, 2N2174, 2N2175, 2N2176, 2N2177