Биполярный транзистор 2N217 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N217
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 50 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: TO1
Другие транзисторы... 2N2162 , 2N2163 , 2N2164 , 2N2165 , 2N2166 , 2N2167 , 2N2168 , 2N2169 , BC556 , 2N2170 , 2N2171 , 2N2172 , 2N2173 , 2N2174 , 2N2175 , 2N2176 , 2N2177 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050