2SC606 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC606
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 265 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO50-1
Аналоги (замена) для 2SC606
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC606 даташит
2sc6061.pdf
2SC6061 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6061 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications +0.2 2.8-0.3 +0.2 1.6-0.1 High-DC current gain hFE = 120 to 300 (IC = 0.1 A) Low-collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.14 V (max) 1 High-speed switching tf = 0.2 s (typ) 3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
2sc6067.pdf
2SC6067 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC6067 Medium Power Amplifier Applications Unit mm Strobe Flash Applications Low Saturation Voltage VCE (sat) = 0.3 V (max) (@ IC=3A / IB=60mA Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-Base voltage V 15 V CBO Collector-Emitter voltage V 10 V CEO Emitt
2sc6062.pdf
2SC6062 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6062 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications +0.2 2.8-0.3 Strobe Applications +0.2 1.6-0.1 High-DC current gain hFE = 250 to 400 (IC = 0.5 1 A)Low-collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.12 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) 3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta
2sc6060.pdf
2SC6060 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6060 Unit mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications High-transition frequency fT = 100 MHz (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 230 V Collector-emitter voltage VCEO 230 V Emitter-base voltage VEBO 5 V DC IC 1.0 A Collec
Другие транзисторы: 2SC600N, 2SC601, 2SC601N, 2SC602, 2SC602N, 2SC603, 2SC604, 2SC605, 2N3906, 2SC607, 2SC608, 2SC608T, 2SC609, 2SC609T, 2SC61, 2SC610, 2SC611
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor




