Справочник транзисторов. 2SC619

 

Биполярный транзистор 2SC619 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC619
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2SC619

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC619 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:201K  toshiba
2sc6124.pdfpdf_icon

2SC619

2SC6124 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6124 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High-speed switching: tstg = 400 ns (typ.) Complementary to 2SA2206 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO

 9.2. Size:165K  toshiba
2sc6100.pdfpdf_icon

2SC619

2SC6100 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6100 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications 2.10.1Strobe Applications 1.70.1 High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A) 1 Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max) 32 High-speed switching: tf = 120 ns (typ.) Absolute Maximum Rati

 9.3. Size:219K  toshiba
2sc6126.pdfpdf_icon

2SC619

2SC6126 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6126 High-Speed Switching Applications Unit : mmDC-DC Converter Applications LCD Backlighting Applications High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC= 0.3 A) Low collector-emitter saturation: VCE(sat) = 0.18 V (max) High-speed switching: tf = 40 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic

 9.4. Size:144K  toshiba
2sc6134.pdfpdf_icon

2SC619

2CS6134 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6134 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications 2.10.1Strobe Applications 1.70.1 High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC = 0.3A) 1 Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max) 32 High-speed switching: tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (

Другие транзисторы... 2SC612N , 2SC613 , 2SC614 , 2SC615 , 2SC616 , 2SC617 , 2SC618 , 2SC618A , 8050 , 2SC62 , 2SC620 , 2SC620M , 2SC621 , 2SC621A , 2SC621M , 2SC622 , 2SC622M .

 

 
Back to Top

 


 
.