2SC660. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC660
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO1
Аналоги (замена) для 2SC660
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC660 даташит
Другие транзисторы: 2SC655, 2SC656, 2SC657, 2SC658, 2SC658M, 2SC659, 2SC65Y, 2SC66, 2N5401, 2SC661, 2SC662, 2SC663, 2SC664, 2SC664A, 2SC665, 2SC665A, 2SC665H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet

