Биполярный транзистор 2SC680 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC680
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO66
2SC680 Datasheet (PDF)
2sc681.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC681DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 70V (Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in B/W TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
![2SC680](https://alltransistors.com/images/us.png)
![2SC680](https://alltransistors.com/images/es.png)
![2SC680](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050