2SC680. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC680

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SC680

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC680 даташит

 9.1. Size:1146K  1
 2sc684.pdf pdf_icon

2SC680

2SC684

 9.2. Size:107K  mospec
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC680

A A A

 9.3. Size:186K  inchange semiconductor
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC680

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC681 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V (Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in B/W TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Другие транзисторы: 2SC674SP, 2SC675, 2SC676, 2SC677, 2SC678, 2SC679, 2SC679A, 2SC68, S9014, 2SC680A, 2SC681, 2SC681A, 2SC681ARD, 2SC682, 2SC682A, 2SC683, 2SC683A