2SC681ARD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC681ARD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC681ARD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC681ARD даташит

 8.1. Size:107K  mospec
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC681ARD

A A A

 8.2. Size:186K  inchange semiconductor
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC681ARD

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC681 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V (Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in B/W TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 9.1. Size:1146K  1
 2sc684.pdf pdf_icon

2SC681ARD

2SC684

Другие транзисторы: 2SC678, 2SC679, 2SC679A, 2SC68, 2SC680, 2SC680A, 2SC681, 2SC681A, 2SC4793, 2SC682, 2SC682A, 2SC683, 2SC683A, 2SC684, 2SC685, 2SC685A, 2SC685H