2SC685H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC685H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SC685H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC685H даташит

 9.1. Size:1146K  1
 2sc684.pdf pdf_icon

2SC685H

2SC684

 9.2. Size:107K  mospec
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC685H

A A A

 9.3. Size:186K  inchange semiconductor
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC685H

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC681 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V (Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in B/W TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Другие транзисторы: 2SC681ARD, 2SC682, 2SC682A, 2SC683, 2SC683A, 2SC684, 2SC685, 2SC685A, TIP35C, 2SC686, 2SC686A, 2SC687, 2SC688, 2SC689, 2SC689H, 2SC68M, 2SC69