2SC827T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC827T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 370

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2SC827T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC827T даташит

 9.1. Size:55K  panasonic
 2sc829.pdf pdf_icon

2SC827T

Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE

 9.2. Size:59K  panasonic
 2sc829 e.pdf pdf_icon

2SC827T

Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE

 9.3. Size:53K  no
 2sc828.pdf pdf_icon

2SC827T

Другие транзисторы: 2SC821Z, 2SC822, 2SC822Z, 2SC823, 2SC824, 2SC825, 2SC826, 2SC827, NJW0281G, 2SC828, 2SC828A, 2SC829, 2SC829Z, 2SC83, 2SC830, 2SC830H, 2SC831