2SC829Z - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SC829Z - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SC829Z
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 2SC829Z

2SC829Z Datasheet (PDF)

8.1. Size:55K panasonic
2sc829.pdf

Transistor2SC829Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stageof FM/AM radios.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V1.27 1.27Collector to emitter voltage VCE

8.2. Size:59K panasonic
2sc829 e.pdf