2SC829Z Todos los transistores

 

2SC829Z . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC829Z
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92

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2SC829Z Datasheet (PDF)

 8.1. Size:55K  panasonic
2sc829.pdf

2SC829Z
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Transistor2SC829Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stageof FM/AM radios.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V1.27 1.27Collector to emitter voltage VCE

 8.2. Size:59K  panasonic
2sc829 e.pdf

2SC829Z
2SC829Z

Transistor2SC829Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stageof FM/AM radios.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V1.27 1.27Collector to emitter voltage VCE

 9.1. Size:53K  no
2sc828.pdf

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